NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.191
174,031
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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NX2301P,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

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12805

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NX2301P,215
Nexperia(安世)
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3000+:¥0.19864

1+:¥0.22464

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NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT-23

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3000+:¥0.2367

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150+:¥0.3362

50+:¥0.386

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1770

-
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Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.2225

1200+:¥0.2782

600+:¥0.2811

100+:¥0.3628

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3000

-
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SOT-23

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 380 pF @ 6 V
功率耗散(最大值) 400mW(Ta),2.8W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3