NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.191
173,831
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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NX2301P,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.191

1+:¥0.216

12805

24+
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NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.19864

1+:¥0.22464

3800

24+
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NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT-23

6000+:¥0.2217

3000+:¥0.2367

500+:¥0.2989

150+:¥0.3362

50+:¥0.386

5+:¥0.4854

1570

-
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NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.2225

1200+:¥0.2782

600+:¥0.2811

100+:¥0.3628

10+:¥0.4563

3000

-
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NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.22649

46044

24+22+23+
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NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.22649

51444

24+23+22+
1-3工作日发货
NX2301P,215
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.2348

6000+:¥0.2535

3000+:¥0.2668

800+:¥0.3735

100+:¥0.5336

20+:¥0.8685

425

-
NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT23

1500+:¥0.2808

200+:¥0.3237

100+:¥0.5005

3805

-
3天-15天
NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.343

30+:¥0.385

10+:¥0.436

5+:¥0.539

5520

20+/21+
MOS场效应管 NX2301P,215 MG SOT-23(NX2301P,215)
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.608

1000+:¥0.791

20+:¥0.912

1+:¥1.521

45332

20+/21+
NX2301P,215
NEXPERIA
SOT-23

1+:¥0.9939

86

-
现货最快4H发
NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.20072

1500+:¥0.22672

200+:¥0.26208

1+:¥0.4056

24805

--
1-3工作日
NX2301P,215
NEXPERIA
TO-236AB

3000+:¥0.2034

300+:¥0.2217

100+:¥0.242

30+:¥0.2665

10+:¥0.3234

1+:¥0.3905

7817

22+
1工作日
NX2301P,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.2123

1500+:¥0.2398

200+:¥0.2772

1+:¥0.429

27821

24+
2-4工作日
NX2301P,215
NEXPERIA
TO-236AB

30+:¥0.22

10+:¥0.23

1+:¥0.25

30

2229+
1工作日
NX2301P,215
nexperia
TO-236AB

3000+:¥0.227

300+:¥0.3016

100+:¥0.3455

10+:¥0.4318

3128

2451+
1工作日
NX2301P,215
nexperia
TO-236AB

24000+:¥0.2404

12000+:¥0.2445

6000+:¥0.2486

3000+:¥0.2528

30000

24+
3-5工作日
NX2301P,215
nexperia
TO-236AB

500+:¥0.828

100+:¥0.9086

65+:¥0.996

34904

-
14-18工作日
NX2301P,215
Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.3276

1500+:¥0.3767

1000+:¥0.4596

560+:¥0.5882

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 380 pF @ 6 V
功率耗散(最大值) 400mW(Ta),2.8W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3