NVR5124PLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.5873
30,933
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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NVR5124PLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.5873

3000+:¥0.6258

500+:¥0.6899

150+:¥0.8337

50+:¥0.9491

5+:¥1.2181

1010

-
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NVR5124PLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.6

1+:¥0.645

1848

24+
立即发货
NVR5124PLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.624

1+:¥0.6708

13846

2年内
1-2工作日发货
NVR5124PLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.624

1+:¥0.6708

1845

24+
1-2工作日发货
NVR5124PLT1G
ON(安森美)
SOT-23

100+:¥0.6572

20+:¥0.682

5+:¥0.6944

945

-
立即发货
NVR5124PLT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.66

6000+:¥0.7126

3000+:¥0.75

800+:¥1.05

100+:¥1.5

20+:¥2.4413

1848

-
NVR5124PLT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

1500+:¥0.7095

200+:¥0.8151

50+:¥1.0604

1848

-
3天-15天
NVR5124PLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23 (TO-236)

1+:¥1.1461

7743

2224
现货最快4H发
NVR5124PLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥0.5029

6000+:¥0.5264

3000+:¥0.5452

6000

22+
3-5工作日
NVR5124PLT1G
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.587

300+:¥0.6398

100+:¥0.6985

30+:¥0.769

10+:¥0.9333

1+:¥1.127

15684

21+
1工作日
NVR5124PLT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.587

3000+:¥0.61

500+:¥0.6753

150+:¥0.7414

50+:¥0.862

5+:¥1.0292

14544

2427+
1工作日
NVR5124PLT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

12000+:¥0.605

9000+:¥0.605

6000+:¥0.605

3000+:¥0.605

30000

-
5-7工作日
NVR5124PLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.624

1500+:¥0.6708

200+:¥0.77064

1+:¥1.00256

4944

--
1-3工作日
NVR5124PLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.6667

1000+:¥0.684

500+:¥0.7015

100+:¥0.7375

54125

-
3-6工作日
NVR5124PLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.6693

15000+:¥0.6868

9000+:¥0.71

3000+:¥0.7275

51000

-
3-5工作日
NVR5124PLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

100+:¥0.7

30+:¥0.78

10+:¥0.9

1+:¥1.0

19

2250+
1工作日
NVR5124PLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

15000+:¥0.7245

6000+:¥0.7434

3000+:¥0.756

429000

22+
3-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 230 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 4.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 240 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 470mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3