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NTS4001NT1G
onsemi(安森美)
SC-70，SOT-323
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：270mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NTS4001NT1G
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ON(安森美)
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SC-70-3
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3000+:￥0.194 1+:￥0.219 |
32621 |
25+
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圣禾堂
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NTS4001NT1G
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ON(安森美)
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SOT-323-3
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3000+:￥0.20176 1+:￥0.22776 |
32615 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTS4001NT1G
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ON(安森美)
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SOT-323-3
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3000+:￥0.2154 1000+:￥0.2194 500+:￥0.2234 100+:￥0.2272 10+:￥0.23 |
92196 |
25+
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现货
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硬之城
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NTS4001NT1G
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onsemi(安森美)
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SC-70(SOT-323)
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3000+:￥0.2327 300+:￥0.2655 100+:￥0.3093 10+:￥0.3968 |
3040 |
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立创商城
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NTS4001NT1G
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ON(安森美)
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SOT-323(SC-70)
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5000+:￥0.2363 2000+:￥0.2426 500+:￥0.2532 300+:￥0.2742 100+:￥0.2954 1+:￥0.3164 |
134 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 270mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.3 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 33 pF @ 5 V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |