NTS4001NT1G
onsemi(安森美)
SC-70,SOT-323
¥0.194
193,244
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4V
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NTS4001NT1G
ON(安森美)
SC-70-3

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NTS4001NT1G
ON(安森美)
SOT-323-3

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NTS4001NT1G
ON(安森美)
SOT-323-3

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NTS4001NT1G
onsemi(安森美)
SC-70(SOT-323)

3000+:¥0.2327

300+:¥0.2655

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ON(安森美)
SOT-323(SC-70)

5000+:¥0.2363

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NTS4001NT1G
ON(安森美)

1500+:¥0.2847

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100+:¥0.5083

32621

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3天-15天
NTS4001NT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-323

1+:¥0.196

11

2225
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NTS4001NT1G
On Semiconductor/Fairchild
30000,SOD-123,SOT-23,SOT-323,SOT-323-3,XDFN-4

300+:¥0.1888

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42

22+
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NTS4001NT1G
ON Semiconductor
30000,SOD-123,SOT-23,SOT-323,SOT-323-3,XDFN-4

6000+:¥0.2

3000+:¥0.213

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150+:¥0.251

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196147

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1工作日
NTS4001NT1G
ON(安森美)
SOT-323-3

3000+:¥0.2028

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200+:¥0.26416

1+:¥0.40976

21596

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1-3工作日
NTS4001NT1G
On Semiconductor/Fairchild
30000,SOD-123,SOT-23,SOT-323,SOT-323-3,XDFN-4

30000+:¥0.2277

15000+:¥0.2336

9000+:¥0.2416

3000+:¥0.2475

108000

-
3-5工作日
NTS4001NT1G
On Semiconductor/Fairchild
30000,SOD-123,SOT-23,SOT-323,SOT-323-3,XDFN-4

3000+:¥0.24

1000+:¥0.2462

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100+:¥0.375

5068

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3-6工作日
NTS4001NT1G
On Semiconductor/Fairchild
30000,SOD-123,SOT-23,SOT-323,SOT-323-3,XDFN-4

6000+:¥0.2667

3000+:¥0.2735

500+:¥0.278

1+:¥0.2825

18273

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5-7工作日
NTS4001NT1G
ON Semiconductor
30000,SOD-123,SOT-23,SOT-323,SOT-323-3,XDFN-4

18000+:¥0.3192

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3000+:¥0.38

100+:¥0.672

300000

22+
5-7工作日
NTS4001NT1G
安森美(onsemi)
SOT-323

30000+:¥0.2284

6000+:¥0.2465

3000+:¥0.2595

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0

-
NTS4001NT1G
ON(安森美)
SOT-323-3

5+:¥0.41445

6

2238
现货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.5 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.3 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 33 pF @ 5 V
功率耗散(最大值) 330mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323