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NTR4170NT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTR4170NT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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30000+:￥0.4475 6000+:￥0.4831 3000+:￥0.5085 800+:￥0.7119 100+:￥1.017 20+:￥1.6552 |
30000 |
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油柑网
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NTR4170NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.47 1+:￥0.503 |
919 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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NTR4170NT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.4791 3000+:￥0.5057 500+:￥0.559 150+:￥0.6255 50+:￥0.7142 5+:￥0.8917 |
7850 |
-
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立即发货
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立创商城
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NTR4170NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4888 1+:￥0.52312 |
917 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTR4170NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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200+:￥0.6094 60+:￥0.8822 |
919 |
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3天-15天
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唯样商城
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NTR4170NT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23-3
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1+:￥0.6664 |
13296 |
2317
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现货最快4H发
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京北通宇
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NTR4170NT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23-3
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500+:￥0.86 150+:￥1.18 50+:￥1.55 5+:￥2.07 |
1000 |
22+/23+
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在芯间
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NTR4170NT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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12000+:￥0.322 9000+:￥0.3276 6000+:￥0.336 3000+:￥0.35 |
21000 |
22+
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5-7工作日
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云汉芯城
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NTR4170NT1G
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ON Semiconductor
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥0.445 500+:￥0.48 150+:￥0.55 50+:￥0.62 5+:￥0.7 |
17022 |
2416+
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1工作日
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云汉芯城
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NTR4170NT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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30000+:￥0.4819 15000+:￥0.4944 9000+:￥0.5112 3000+:￥0.5238 |
30000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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NTR4170NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4888 1500+:￥0.52312 200+:￥0.57616 1+:￥0.83408 |
2757 |
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1-3工作日
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硬之城
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NTR4170NT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥0.5334 1000+:￥0.5472 500+:￥0.5612 100+:￥0.59 |
3000 |
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3-6工作日
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云汉芯城
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NTR4170NT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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24000+:￥0.5936 12000+:￥0.6254 6000+:￥0.6466 3000+:￥0.6625 |
90000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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NTR4170NT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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500+:￥1.564 100+:￥1.7818 30+:￥1.956 |
13055 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.76 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 432 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 480mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |