NTR4003NT3G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.14768
15,751
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4V
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NTR4003NT3G
ON(安森美)
SOT-23-3

10000+:¥0.142

1+:¥0.157

3150

24+
立即发货
NTR4003NT3G
ON(安森美)
SOT-23

10000+:¥0.14768

1+:¥0.16328

3098

24+
1-2工作日发货
NTR4003NT3G
ON(安森美)
SOT-23

10000+:¥0.16478

1000+:¥0.16784

500+:¥0.1709

100+:¥0.1738

10+:¥0.17595

2538

22+
现货
NTR4003NT3G
onsemi(安森美)
SOT-23

5000+:¥0.2091

1000+:¥0.2312

300+:¥0.2589

100+:¥0.2959

10+:¥0.3698

5020

-
立即发货
NTR4003NT3G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

500+:¥0.2715

150+:¥0.3523

3100

-
3天-15天
NTR4003NT3G
onsemi(安森美)
SOT-23(SOT-23-3)

10+:¥0.735

5+:¥0.922

1995

20+/21+
NTR4003NT3G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

90000+:¥0.154

60000+:¥0.1551

10000+:¥0.1562

5000+:¥0.1727

500+:¥0.1991

1+:¥0.2981

8025

24+
2-4工作日
NTR4003NT3G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

10000+:¥0.2174

3000+:¥0.237

1000+:¥0.2587

300+:¥0.2848

100+:¥0.3457

10+:¥0.4174

7900

24+
1工作日
NTR4003NT3G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

50000+:¥0.322

30000+:¥0.3304

20000+:¥0.336

10000+:¥0.35

10000

-
3-7工作日
NTR4003NT3G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.3674

20000+:¥0.3674

10000+:¥0.3674

70000

21+
5-10工作日
NTR4003NT3G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

50000+:¥0.4533

10000+:¥0.4682

179300

-
10-15工作日
NTR4003NT3G
安森美(onsemi)
SOT-23

5000+:¥0.4

2500+:¥0.46

500+:¥0.5

150+:¥0.56

50+:¥0.68

5+:¥0.8

0

-
NTR4003NT3G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

500+:¥0.6043

100+:¥0.6401

1+:¥0.6913

3

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.5 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.15 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 21 pF @ 5 V
功率耗散(最大值) 690mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3