NTMFS5C670NLT1G
onsemi(安森美)
SO-8FL
¥1.3
20,497
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A(Ta),71A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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NTMFS5C670NLT1G
ON(安森美)
SO-FL-8

1500+:¥1.3

1+:¥1.4

4005

25+
立即发货
NTMFS5C670NLT1G
ON(安森美)
SO-8-FL

1500+:¥1.352

1+:¥1.456

3997

25+
1-2工作日发货
NTMFS5C670NLT1G
ON(安森美)
5-DFN(5x6)(8-SOFL)

1500+:¥1.43

50+:¥1.54

30+:¥2.013

4005

-
3天-15天
NTMFS5C670NLT1G
onsemi(安森美)
SO-8FL

1500+:¥1.5939

500+:¥1.6929

100+:¥2.0493

30+:¥2.39

10+:¥2.71

1+:¥3.36

3934

-
立即发货
NTMFS5C670NLT1G
onsemi(安森美)
QFN8

500+:¥1.68

100+:¥2.03

20+:¥2.54

1+:¥3.28

4500

24+/25+
NTMFS5C670NLT1G
ON(安森美)
DFN5_4.9X5.9MM

24+:¥2.0253

10+:¥2.2842

1+:¥2.6845

24

-
立即发货
NTMFS5C670NLT1G
安森美(onsemi)
SO-8-FL

15000+:¥2.2278

3000+:¥2.405

1500+:¥2.5316

500+:¥3.5442

200+:¥5.0632

10+:¥5.0985

24

-
NTMFS5C670NLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SO-8FL-4

12000+:¥1.3488

6000+:¥1.3721

3000+:¥1.4186

10+:¥1.4535

30000

25+
3-6工作日
NTMFS5C670NLT1G
ON(安森美)
SO-8-FL

1500+:¥1.3936

750+:¥1.4664

100+:¥1.6952

1+:¥2.1944

4071

--
1-3工作日
NTMFS5C670NLT1G
ON(安森美)
SO-8FL-4

1500+:¥1.474

750+:¥1.551

100+:¥1.793

1+:¥2.321

4133

25+
2-4工作日
NTMFS5C670NLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SO-8FL-4

3000+:¥1.4934

1000+:¥1.5322

500+:¥1.5714

100+:¥1.652

17088

-
3-6工作日
NTMFS5C670NLT1G
ON Semiconductor
SO-8FL-4

1000+:¥1.5

500+:¥1.6848

100+:¥1.8563

30+:¥2.0666

10+:¥2.3308

1+:¥2.7393

24628

2519+
1工作日
NTMFS5C670NLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SO-8FL-4

1500+:¥1.5217

300+:¥1.6435

100+:¥1.6739

30+:¥2.0239

10+:¥2.2217

1+:¥2.587

15917

22+
1-3工作日
NTMFS5C670NLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SO-8FL-4

1500+:¥1.647

100+:¥2.176

60000

24+
3-5工作日
NTMFS5C670NLT1G
On Semiconductor/Fairchild
SO-8FL-4

12000+:¥1.856

6000+:¥1.888

3000+:¥1.92

1500+:¥1.952

24000

-
5-7工作日
NTMFS5C670NLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SO-8FL

1+:¥3.0576

3

-
现货最快4H发
NTMFS5C670NLT1G
ON(安森美)
SO-8-FL

3000+:¥4.80476

1000+:¥4.87256

500+:¥4.94036

100+:¥4.99912

1+:¥5.0624

5

19+
现货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A(Ta),71A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.1 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.6W(Ta),61W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN,5 引线