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NTMFS5C628NLT1G
onsemi(安森美)
SO-8FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NTMFS5C628NLT1G
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ON(安森美)
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DFN-5
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1500+:￥1.76 1+:￥1.84 |
3978 |
2年内
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圣禾堂
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NTMFS5C628NLT1G
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ON(安森美)
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DFN-5(5x6)(SOFL-8)
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3000+:￥1.76466 1000+:￥1.79743 500+:￥1.8302 100+:￥1.86133 10+:￥1.88427 |
28404 |
22+
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现货
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硬之城
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NTMFS5C628NLT1G
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onsemi(安森美)
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SO-8FL
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1500+:￥1.77 500+:￥1.88 100+:￥2.09 30+:￥2.44 10+:￥2.8 1+:￥3.51 |
4248 |
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立创商城
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NTMFS5C628NLT1G
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ON(安森美)
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DFN-5(5x6)(SOFL-8)
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1500+:￥1.8096 1+:￥1.8928 |
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2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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ON(安森美)
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QFN-5
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1500+:￥1.914 750+:￥2.002 100+:￥2.31 20+:￥2.992 |
3978 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 135µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 52 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3600 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |