NTMFS5C628NLT1G
onsemi(安森美)
SO-8FL
¥1.76466
62,028
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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NTMFS5C628NLT1G
ON(安森美)
DFN-5

1500+:¥1.76

1+:¥1.84

3978

2年内
立即发货
NTMFS5C628NLT1G
ON(安森美)
DFN-5(5x6)(SOFL-8)

3000+:¥1.76466

1000+:¥1.79743

500+:¥1.8302

100+:¥1.86133

10+:¥1.88427

28404

22+
现货
NTMFS5C628NLT1G
onsemi(安森美)
SO-8FL

1500+:¥1.77

500+:¥1.88

100+:¥2.09

30+:¥2.44

10+:¥2.8

1+:¥3.51

4248

-
立即发货
NTMFS5C628NLT1G
ON(安森美)
DFN-5(5x6)(SOFL-8)

1500+:¥1.8096

1+:¥1.8928

3973

2年内
1-2工作日发货
NTMFS5C628NLT1G
ON(安森美)
QFN-5

1500+:¥1.914

750+:¥2.002

100+:¥2.31

20+:¥2.992

3978

-
3天-15天
NTMFS5C628NLT1G
ON(安森美)
DFN-5(5x6)(SOFL-8)

3000+:¥2.0463

1000+:¥2.0843

500+:¥2.1223

100+:¥2.1584

10+:¥2.185

9991

22+
现货
NTMFS5C628NLT1G
安森美(onsemi)
DFN-5

15000+:¥2.4607

3000+:¥2.6565

1500+:¥2.7963

500+:¥3.9148

200+:¥5.5926

10+:¥9.102

6000

-
NTMFS5C628NLT1G
onsemi(安森美)
DFN 5

500+:¥2.58

100+:¥2.88

20+:¥3.51

1+:¥4.15

5252

24+/23+
NTMFS5C628NLT1G
ON(安森美)
DFN5_4.9X5.9MM

1000+:¥2.714

500+:¥2.832

100+:¥3.068

30+:¥3.304

1+:¥3.422

182

-
立即发货
NTMFS5C628NLT1G
ON(安森美)
DFN-5(5x6)(SOFL-8)

1500+:¥1.8616

750+:¥1.9344

100+:¥2.236

1+:¥2.9016

4032

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 135µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 52 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.7W(Ta),110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN,5 引线