NTK3134NT1G
onsemi(安森美)
SOT-723
¥0.3432
36,999
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
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NTK3134NT1G
ON(安森美)
SOT-723-3

4000+:¥0.33

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NTK3134NT1G
ON(安森美)
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SOT-723

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500+:¥0.4125

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NTK3134NT1G
安森美(onsemi)
SOT-723

40000+:¥0.363

8000+:¥0.3918

4000+:¥0.4125

1000+:¥0.5775

100+:¥0.825

20+:¥1.3427

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SOT-723

4000+:¥0.429

2000+:¥0.4589

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3天-15天
NTK3134NT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-723-3

100+:¥0.5665

1+:¥0.6067

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10+:¥0.664

5+:¥0.853

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20+/21+
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4000+:¥0.3651

1000+:¥0.37188

500+:¥0.37866

100+:¥0.3851

1+:¥0.38985

38

20+
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4000+:¥0.3588

2000+:¥0.3848

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1-3工作日
NTK3134NT1G
ON(安森美)
SOT-723-3

2000+:¥0.4154

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20+:¥0.5698

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 750mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 350 毫欧 @ 890mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
Vgs(最大值) ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 120 pF @ 16 V
功率耗散(最大值) 310mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723