NTD3055L104T4G
onsemi(安森美)
DPAK
¥1.56
11,953
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
NTD3055L104T4G
onsemi(安森美)
DPAK

1000+:¥1.56

500+:¥1.67

100+:¥2.04

30+:¥2.43

10+:¥2.74

1+:¥3.48

3047

-
立即发货
NTD3055L104T4G
ON(安森美)
TO-252-4

2500+:¥1.68

1+:¥1.77

1960

24+
立即发货
NTD3055L104T4G
ON(安森美)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥1.7472

1+:¥1.8408

1956

24+
1-2工作日发货
NTD3055L104T4G
ON(安森美)
DPAK

1250+:¥1.947

100+:¥2.233

20+:¥2.904

1960

-
3天-15天
NTD3055L104T4G
onsemi(安森美)
TO-252-2

500+:¥2.03

100+:¥2.49

30+:¥2.88

1+:¥4.01

3000

22+/23+
NTD3055L104T4G
ON(安森美)
TO-252(DPAK)

30+:¥2.5728

10+:¥2.9184

1+:¥3.6192

30

-
立即发货
NTD3055L104T4G
安森美(onsemi)
TO-252-2(DPAK)

25000+:¥1.84

5000+:¥1.9864

2500+:¥2.0909

800+:¥2.9273

200+:¥4.1818

10+:¥6.4818

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 104 毫欧 @ 6A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 20 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 440 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta),48W(Tj)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63