NTD2955T4G
onsemi(安森美)
DPAK
¥1.5898
92,581
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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价格(含税)
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渠道
NTD2955T4G
onsemi
TO-252-4

2500+:¥1.5898

2000+:¥1.6693

1000+:¥1.7528

500+:¥1.9281

100+:¥2.1209

10+:¥2.3333

2500

2129
立即发货
NTD2955T4G
ON(安森美)
TO-252-4

2500+:¥1.64

1+:¥1.72

1828

24+
立即发货
NTD2955T4G
ON(安森美)
TO-252-2(DPAK)

5000+:¥1.64296

1000+:¥1.67347

500+:¥1.70398

100+:¥1.73296

1+:¥1.75432

60000

23+
现货
NTD2955T4G
onsemi(安森美)
DPAK

1000+:¥1.683

500+:¥1.7919

100+:¥1.9899

30+:¥2.81

10+:¥3.15

1+:¥3.84

11629

-
立即发货
NTD2955T4G
ON(安森美)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥1.7056

1+:¥1.7888

1823

24+
1-2工作日发货
NTD2955T4G
ON(安森美)
TO-252-2(DPAK)

5000+:¥1.77058

1000+:¥1.80346

500+:¥1.83634

100+:¥1.86758

10+:¥1.8906

6029

23+
现货
NTD2955T4G
安森美(onsemi)
TO-252

25000+:¥1.804

5000+:¥1.9475

2500+:¥2.05

800+:¥2.87

200+:¥4.1

10+:¥6.6728

1828

-
NTD2955T4G
onsemi(安森美)
SOT252

500+:¥1.82

100+:¥2.03

20+:¥2.65

1+:¥3.76

3562

24+
NTD2955T4G
ON(安森美)
TO-252-3,Dpak,SC-63

1250+:¥1.892

100+:¥2.178

20+:¥2.827

1828

-
3天-15天
NTD2955T4G
ON SEMICONDUCTOR
TO-252-4

1+:¥2.6195

1527

2351
现货最快4H发
NTD2955T4G
ON(安森美)
TO-252(DPAK)

1+:¥1.8973

27

-
立即发货
NTD2955T4G
ON
2500,TO-252

1000+:¥1.5865

500+:¥1.6272

10+:¥1.6543

2970

-
3-7工作日
NTD2955T4G
On Semiconductor/Fairchild
2500,TO-252

3000+:¥1.695

700+:¥1.7749

10000

23+
3-5工作日
NTD2955T4G
ON(安森美)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥1.7056

1250+:¥1.7888

100+:¥2.0592

1+:¥2.6728

1834

--
1-3工作日
NTD2955T4G
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
2500,TO-252

2500+:¥1.7196

300+:¥1.8571

100+:¥1.8915

30+:¥2.287

10+:¥2.5106

1+:¥2.9233

2308

23+
1工作日
NTD2955T4G
ON SEMICONDUCTOR
2500,TO-252

2500+:¥1.7196

300+:¥1.8571

100+:¥1.8915

30+:¥2.287

10+:¥2.5106

1+:¥2.9233

23106

24+
1工作日
NTD2955T4G
On Semiconductor/Fairchild
2500,TO-252

2000+:¥1.7402

500+:¥1.7718

100+:¥1.8193

50+:¥1.8668

1+:¥1.8984

60000

23+
3-4工作日
NTD2955T4G
On Semiconductor/Fairchild
2500,TO-252

125000+:¥1.9617

25000+:¥1.9792

5000+:¥2.0142

2500+:¥2.0843

27500

23+
3-4工作日
NTD2955T4G
On Semiconductor/Fairchild
2500,TO-252

500+:¥4.7265

100+:¥5.192

15+:¥5.724

7195

-
14-18工作日
NTD2955T4G
On Semiconductor/Fairchild
2500,TO-252

200+:¥5.0712

100+:¥5.1465

50+:¥5.2145

20+:¥5.2873

10+:¥5.3473

110

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 750 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 55W(Tj)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63