NDS355AN
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.67851
92,231
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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NDS355AN
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.67851

1000+:¥0.69111

500+:¥0.70371

100+:¥0.71568

10+:¥0.7245

56005

24+
现货
NDS355AN
onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.6961

3000+:¥0.7409

500+:¥0.8844

150+:¥1.0519

50+:¥1.1861

5+:¥1.4993

7060

-
立即发货
NDS355AN
ON(安森美)
SuperSOT-3

3000+:¥0.75

1+:¥0.808

1800

24+
立即发货
NDS355AN
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.75928

1000+:¥0.77338

500+:¥0.78748

100+:¥0.80088

10+:¥0.81075

940

22+
现货
NDS355AN
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.78

1+:¥0.84032

4799

24+
1-2工作日发货
NDS355AN
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.825

6000+:¥0.8906

3000+:¥0.9375

800+:¥1.3125

200+:¥1.875

10+:¥3.0516

4800

-
NDS355AN
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.825

1500+:¥0.8888

750+:¥0.9779

100+:¥1.177

40+:¥1.529

4800

-
3天-15天
NDS355AN
onsemi(安森美)
SuperSOT-3

100+:¥0.965

30+:¥1.147

10+:¥1.294

1+:¥1.636

9960

20+/21+
NDS355AN
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

100+:¥1.176

1+:¥1.2642

1589

2234
现货最快4H发
NDS355AN
ON(安森美)
SOT-23

1000+:¥1.3918

500+:¥1.4563

100+:¥1.5852

30+:¥1.714

1+:¥1.7785

2278

-
立即发货
NDS355AN
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.78

1500+:¥0.84032

750+:¥0.92456

100+:¥1.1128

1+:¥1.4456

1821

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 85 毫欧 @ 1.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 195 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3