MMSZ3V3T1G
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1089
201,981
稳压二极管
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
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MMSZ3V3T1G
onsemi(安森美)
SOD-123

9000+:¥0.1089

6000+:¥0.1162

3000+:¥0.1309

300+:¥0.1546

100+:¥0.1791

10+:¥0.228

2470

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ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.11544

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ON(安森美)
SOD-123

30000+:¥0.1221

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3000+:¥0.1388

800+:¥0.1943

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20+:¥0.4518

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MMSZ3V3T1G
安森美(onsemi)
SOD-123

30000+:¥0.1221

6000+:¥0.1318

3000+:¥0.1388

800+:¥0.1943

100+:¥0.2776

20+:¥0.4518

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MMSZ3V3T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

1000+:¥0.133

100+:¥0.1398

1+:¥0.1455

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ON(安森美)
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600+:¥0.1579

100+:¥0.1747

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SOD-123

3000+:¥0.1665

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3天-15天
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3000+:¥0.111

1+:¥0.125

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ON Semiconductor
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6000+:¥0.112

3000+:¥0.1168

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50+:¥0.1785

5+:¥0.2288

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2509+
1工作日
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ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.11544

1500+:¥0.13

200+:¥0.1508

1+:¥0.23296

11058

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1-3工作日
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ON(安森美)
SOD-123

60000+:¥0.1199

45000+:¥0.121

3000+:¥0.1221

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200+:¥0.1595

1+:¥0.2464

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25+
2-4工作日
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On Semiconductor/Fairchild
SOD-123

24000+:¥0.1234

12000+:¥0.1256

6000+:¥0.1277

3000+:¥0.1298

30000

25+
3-5工作日
MMSZ3V3T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOD-123

30000+:¥0.1277

15000+:¥0.131

9000+:¥0.1354

3000+:¥0.1388

33000

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3-5工作日
MMSZ3V3T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOD-123

3000+:¥0.1361

1000+:¥0.1396

500+:¥0.1431

100+:¥0.375

246

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3-6工作日
MMSZ3V3T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

300+:¥0.1494

100+:¥0.1733

10+:¥0.221

2843

24+
1工作日
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SOD-123

1000+:¥0.1833

38905

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6-8工作日
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SOD-123

150+:¥0.083

50+:¥0.083

5+:¥0.083

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19+/20+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.3 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOD-123