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MMBF170-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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MMBF170-7-F
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.094 1+:￥0.119 |
246997 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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MMBF170-7-F
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.09776 1+:￥0.12376 |
246994 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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MMBF170-7-F
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.1034 6000+:￥0.1116 3000+:￥0.1175 800+:￥0.1645 100+:￥0.235 20+:￥0.3825 |
247095 |
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油柑网
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MMBF170-7-F
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23
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1+:￥0.1186 |
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2307
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现货最快4H发
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京北通宇
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MMBF170-7-F
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Diodes(达尔)
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SOT-23
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3000+:￥0.147 1500+:￥0.1845 200+:￥0.297 80+:￥0.6523 |
155002 |
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3天-15天
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唯样商城
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MMBF170-7-F
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.10192 1500+:￥0.12792 200+:￥0.20592 1+:￥0.61672 |
143402 |
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1-3工作日
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硬之城
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MMBF170-7-F
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.1088 1500+:￥0.1365 200+:￥0.2198 1+:￥0.6582 |
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25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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MMBF170-7-F
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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24000+:￥0.1093 12000+:￥0.1121 6000+:￥0.114 3000+:￥0.1235 |
36000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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MMBF170-7-F
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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24000+:￥0.1117 12000+:￥0.1136 6000+:￥0.1156 3000+:￥0.1175 |
90000 |
25+
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3-5工作日
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云汉芯城
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MMBF170-7-F
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DIODES
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SOT-23-3
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9000+:￥0.1241 3000+:￥0.1281 500+:￥0.1427 100+:￥0.1624 10+:￥0.1978 1+:￥0.2911 |
228 |
2327+
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1工作日
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云汉芯城
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MMBF170-7-F
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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2163+:￥0.1599 2161+:￥0.1612 2160+:￥0.164 2159+:￥0.1738 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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MMBF170-7-F
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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15000+:￥0.2743 3000+:￥0.3048 |
15000 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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MMBF170-7-F
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DIODES(美台)
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SOT-23
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102000+:￥0.1106 |
0 |
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立创商城
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MMBF170-7-F
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DIODES(美台)
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SOT-23
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4+:￥0.2736 |
4 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |