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IRLR3410TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRLR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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4000+:￥1.0553 2000+:￥1.1252 500+:￥1.2416 150+:￥1.6556 50+:￥1.8651 5+:￥2.3541 |
16195 |
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立即发货
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立创商城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥1.08 1+:￥1.14 |
1383 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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IRLR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2000+:￥1.1232 1+:￥1.1856 |
1167 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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1000+:￥1.29 100+:￥1.72 20+:￥2.04 1+:￥2.89 |
4959 |
22+/23+
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在芯间
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IRLR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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500+:￥1.43 100+:￥1.508 10+:￥1.664 1+:￥1.729 |
621 |
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立即发货
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华秋商城
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IRLR3410TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥1.672 4000+:￥1.805 2000+:￥1.9 500+:￥2.66 200+:￥3.8 10+:￥6.1845 |
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油柑网
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IRLR3410TRPBF
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INFINEON
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TO-252-3
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100+:￥2.352 1+:￥2.744 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRLR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2000+:￥1.1232 1000+:￥1.1856 100+:￥1.3728 1+:￥1.7784 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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16000+:￥1.16 8000+:￥1.18 4000+:￥1.22 2000+:￥1.25 |
2000 |
25+
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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20000+:￥1.2719 10000+:￥1.3051 6000+:￥1.3493 2000+:￥1.3825 |
14000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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2000+:￥1.296 |
60000 |
24+
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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1000+:￥1.3092 500+:￥1.3882 100+:￥1.7284 50+:￥2.0478 10+:￥2.303 1+:￥2.9089 |
6701 |
24+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon Technologies
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TO-252，TO-252-2
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1000+:￥1.3092 500+:￥1.3882 100+:￥1.7284 50+:￥2.0478 10+:￥2.303 1+:￥2.9089 |
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2516+
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1工作日
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云汉芯城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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10000+:￥1.3913 6000+:￥1.4157 4000+:￥1.4401 2000+:￥1.4645 |
20000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252，TO-252-2
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10000+:￥1.7176 5000+:￥1.748 1000+:￥1.7936 10+:￥1.9 |
373 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 34 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |