IRLR2905TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
¥1.79
14,692
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
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IRLR2905TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)

1000+:¥1.79

500+:¥1.89

100+:¥2.42

30+:¥2.75

10+:¥3.07

1+:¥3.72

1703

-
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IRLR2905TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252(DPAK)

100+:¥1.8622

30+:¥1.9707

10+:¥2.0069

1+:¥2.1877

436

-
立即发货
IRLR2905TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO252

500+:¥1.88

100+:¥2.42

20+:¥2.74

1+:¥3.68

3000

22+/23+
IRLR2905TRPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-252-3

20000+:¥1.991

4000+:¥2.1494

2000+:¥2.2625

500+:¥3.1675

200+:¥4.525

10+:¥7.3644

9321

-
IRLR2905TRPBF
INFINEON
TO-252

1+:¥3.8612

182

2138
现货最快4H发
IRLR2905TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3(DPAK)

2000+:¥1.73

1+:¥1.81

56

25+
立即发货
IRLR2905TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3

2000+:¥1.7992

1+:¥1.8824

50

25+
1-2工作日发货
IRLR2905TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3

2000+:¥1.7992

1000+:¥1.8824

100+:¥2.1632

1+:¥2.808

176

--
1-3工作日
IRLR2905TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-252,TO-252-2,TO-252-3,TO-263

1000+:¥1.8935

200+:¥1.9662

20+:¥2.1004

389

23+
4-7工作日
IRLR2905TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-252,TO-252-2,TO-252-3,TO-263

20000+:¥2.0079

10000+:¥2.0603

6000+:¥2.1301

2000+:¥2.1825

2000

-
3-5工作日
IRLR2905TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-252,TO-252-2,TO-252-3,TO-263

10000+:¥2.0453

5000+:¥2.0815

1000+:¥2.1358

10+:¥2.2625

9321

-
3-5工作日
IRLR2905TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-252,TO-252-2,TO-252-3,TO-263

2000+:¥2.0957

1000+:¥2.1312

1+:¥2.22

23843

22+
3-5工作日
IRLR2905TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252,TO-252-2,TO-252-3,TO-263

71+:¥5.1957

69+:¥5.2409

68+:¥5.3312

67+:¥5.6475

560

-
6-8工作日
IRLR2905TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-252,TO-252-2,TO-252-3,TO-263

500+:¥5.6925

100+:¥6.254

10+:¥6.9

2629

-
14-18工作日
IRLR2905TRPBF
Infineon Technologies
TO-252,TO-252-2,TO-252-3,TO-263

1000+:¥1.9048

500+:¥2.0276

100+:¥2.5268

50+:¥2.8409

10+:¥3.1177

1+:¥3.3113

2

2508+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 27 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 48 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1700 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63