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IRLR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥0.76 1+:￥0.825 |
10339 |
25+
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圣禾堂
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥0.7904 1+:￥0.858 |
7894 |
25+
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硬之城
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INFINEON
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DPAK(TO-252)
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1+:￥0.8441 |
11586 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRLR120NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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1000+:￥0.858 500+:￥0.897 100+:￥0.975 30+:￥1.053 1+:￥1.092 |
2081 |
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华秋商城
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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2000+:￥0.8674 500+:￥0.9563 150+:￥1.2708 50+:￥1.4309 5+:￥1.8043 |
3430 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 185 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 440 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |