IRLR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
¥0.76
40,345
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
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IRLR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3(DPAK)

2000+:¥0.76

1+:¥0.825

10339

25+
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IRLR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

2000+:¥0.7904

1+:¥0.858

7894

25+
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IRLR120NTRPBF
INFINEON
DPAK(TO-252)

1+:¥0.8441

11586

2121
现货最快4H发
IRLR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252AA

1000+:¥0.858

500+:¥0.897

100+:¥0.975

30+:¥1.053

1+:¥1.092

2081

-
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IRLR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)

2000+:¥0.8674

500+:¥0.9563

150+:¥1.2708

50+:¥1.4309

5+:¥1.8043

3430

-
立即发货
IRLR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

500+:¥0.97

150+:¥1.24

50+:¥1.49

5+:¥1.86

2550

22+/21+
IRLR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

4000+:¥1.21701

1000+:¥1.23961

500+:¥1.26221

100+:¥1.28368

1+:¥1.2995

1936

21+
现货
IRLR120NTRPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-252

20000+:¥1.375

4000+:¥1.4844

2000+:¥1.5625

500+:¥2.1875

200+:¥3.125

10+:¥5.0859

529

-
IRLR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

2000+:¥0.81224

50+:¥0.88192

1+:¥1.144

14395

--
1-3工作日
IRLR120NTRPBF
Infineon Technologies/IR
2000,SOP-14,TO-220IS-4,TO-252,TO-252-2

16000+:¥0.8504

8000+:¥0.8654

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2000+:¥0.9325

100000

24+
3-6工作日
IRLR120NTRPBF
Infineon Technologies/IR
2000,SOP-14,TO-220IS-4,TO-252,TO-252-2

100000+:¥0.9112

20000+:¥0.9194

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2000+:¥0.9682

64000

25+
3-4工作日
IRLR120NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
2000,SOP-14,TO-220IS-4,TO-252,TO-252-2

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8188

23+
1-3工作日
IRLR120NTRPBF
Infineon Technologies
2000,SOP-14,TO-220IS-4,TO-252,TO-252-2

1000+:¥0.9922

500+:¥1.0566

100+:¥1.0995

50+:¥1.1965

10+:¥1.2914

1+:¥1.356

2474

2428+
1工作日
IRLR120NTRPBF
Infineon Technologies/IR
2000,SOP-14,TO-220IS-4,TO-252,TO-252-2

10000+:¥1.1594

6000+:¥1.1797

4000+:¥1.2001

2000+:¥1.2204

80000

-
3-5工作日
IRLR120NTRPBF
Infineon Technologies/IR
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2000+:¥1.248

50000

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5-7工作日
IRLR120NTRPBF
Infineon Technologies/IR
2000,SOP-14,TO-220IS-4,TO-252,TO-252-2

1000+:¥1.3255

100+:¥1.3831

10+:¥1.6564

226

-
5-10工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 185 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 20 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 440 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 48W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63