IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.3536
50,216
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(Micro3)

3000+:¥0.34

1+:¥0.364

52810

25+
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IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.3536

1+:¥0.37856

44249

25+
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IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

1200+:¥0.4689

600+:¥0.4737

50+:¥0.5848

5+:¥0.7337

1149

-
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IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

500+:¥0.4785

150+:¥0.5373

50+:¥0.6156

5+:¥0.7723

1945

-
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IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

500+:¥0.706

150+:¥0.828

20+:¥0.926

5+:¥1.155

2775

22+/20+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 270 pF @ 24 V
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3