IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.3536
50,216
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(Micro3)

3000+:¥0.34

1+:¥0.364

52810

25+
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IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.3536

1+:¥0.37856

44249

25+
1-2工作日发货
IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

1200+:¥0.4689

600+:¥0.4737

50+:¥0.5848

5+:¥0.7337

1149

-
立即发货
IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

500+:¥0.4785

150+:¥0.5373

50+:¥0.6156

5+:¥0.7723

1945

-
立即发货
IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

500+:¥0.706

150+:¥0.828

20+:¥0.926

5+:¥1.155

2775

22+/20+
IRLML6346TRPBF
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.396

6000+:¥0.4275

3000+:¥0.45

800+:¥0.63

200+:¥0.9

10+:¥1.4648

16

-
IRLML6346TRPBF
INFINEON
SOT-23-3

1+:¥1.0192

82

2146
现货最快4H发
IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.3536

1500+:¥0.37856

200+:¥0.416

1+:¥0.60424

25810

--
1-3工作日
IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
FLP-14,SOIC-14,SOT-23,SOT-3,SOT-89,TO-252

60000+:¥0.373

45000+:¥0.3774

3000+:¥0.3808

1500+:¥0.4077

200+:¥0.448

1+:¥0.6507

28971

25+
2-4工作日
IRLML6346TRPBF
Infineon Technologies/IR
FLP-14,SOIC-14,SOT-23,SOT-3,SOT-89,TO-252

10000+:¥0.4068

5000+:¥0.414

1000+:¥0.4248

10+:¥0.45

16

-
3-5工作日
IRLML6346TRPBF
Infineon(英飞凌)
FLP-14,SOIC-14,SOT-23,SOT-3,SOT-89,TO-252

3000+:¥0.4543

1+:¥0.515

47472

-
6-8工作日
IRLML6346TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
FLP-14,SOIC-14,SOT-23,SOT-3,SOT-89,TO-252

500+:¥0.5162

150+:¥0.5798

50+:¥0.6687

5+:¥0.8637

10238

22+
1-3工作日
IRLML6346TRPBF
Infineon Technologies/IR
FLP-14,SOIC-14,SOT-23,SOT-3,SOT-89,TO-252

3000+:¥0.5334

1000+:¥0.5472

500+:¥0.5612

100+:¥0.59

348

-
3-6工作日
IRLML6346TRPBF
Infineon Technologies/IR
FLP-14,SOIC-14,SOT-23,SOT-3,SOT-89,TO-252

3000+:¥0.4333

300+:¥0.4723

100+:¥0.5157

30+:¥0.5677

10+:¥0.689

1+:¥0.832

1

22+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 270 pF @ 24 V
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3