IRLML6302TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.288
122,481
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):780mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
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IRLML6302TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(Micro3)

3000+:¥0.288

1+:¥0.325

50866

2年内
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IRLML6302TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.29952

1+:¥0.338

50810

2年内
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IRLML6302TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

1000+:¥0.3193

500+:¥0.3348

100+:¥0.3658

30+:¥0.3968

1+:¥0.4123

2325

-
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IRLML6302TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.3306

500+:¥0.4369

150+:¥0.4894

50+:¥0.5595

5+:¥0.6997

4190

-
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IRLML6302TRPBF
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.374

6000+:¥0.4038

3000+:¥0.425

800+:¥0.595

200+:¥0.85

10+:¥1.3834

7893

-
IRLML6302TRPBF
INFINEON
SOT-23-3

1+:¥0.4587

1038

2224
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IRLML6302TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

500+:¥1.137

100+:¥1.218

20+:¥2.065

1+:¥2.958

5289

17+/18+
IRLML6302TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.488

30+:¥0.54

10+:¥0.609

5+:¥0.747

70

20+/21+
IRLML6302TRPBF
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SOT-23-3

3000+:¥0.30784

1500+:¥0.34736

200+:¥0.39936

1+:¥0.61984

51067

--
1-3工作日
IRLML6302TRPBF
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23,TO-92

15000+:¥0.3607

9000+:¥0.367

6000+:¥0.3734

3000+:¥0.3797

42000

-
3-5工作日
IRLML6302TRPBF
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23,TO-92

10000+:¥0.3842

5000+:¥0.391

1000+:¥0.4012

10+:¥0.425

7893

-
3-5工作日
IRLML6302TRPBF
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23,TO-92

1000+:¥0.414

500+:¥0.4484

100+:¥0.48

10+:¥0.525

57900

-
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 780mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 610mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.6 nC @ 4.45 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 97 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 540mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3