IRLML5203
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.138
20,858
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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IRLML5203TR
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.138

1+:¥0.156

5539

24+
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IRLML5203TR(UMW)
UMW(友台半导体)
SOT-23

9000+:¥0.1446

6000+:¥0.1564

3000+:¥0.1799

300+:¥0.2098

100+:¥0.2491

10+:¥0.3276

6780

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UMW IRLML5203
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SOT-23

2000+:¥0.1736

1000+:¥0.1814

500+:¥0.1922

100+:¥0.2155

20+:¥0.2387

5+:¥0.262

1951

-
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IRLML5203
UMW(友台)
SOT-23

1200+:¥0.1952

600+:¥0.1972

100+:¥0.2341

10+:¥0.3079

1049

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IRLML5203TR
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.207

1500+:¥0.234

200+:¥0.27

140+:¥0.3614

5539

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3天-15天
IRLML5203
UMW/友台半导体
SOT-23

9000+:¥0.15

6000+:¥0.1527

3000+:¥0.1554

180000

24+
5-9工作日
IRLML5203
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.147

1+:¥0.166

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IRLML5203
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.1787

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IRLML5203
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200+:¥0.1882

1+:¥0.2039

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 700 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 300mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3