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IRLML0100TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRLML0100TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23(Micro3)
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3000+:￥0.31 1+:￥0.332 |
76098 |
2年内
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圣禾堂
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IRLML0100TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3224 1+:￥0.34528 |
76017 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLML0100TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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6000+:￥0.3247 3000+:￥0.3463 500+:￥0.4553 150+:￥0.5093 50+:￥0.5813 5+:￥0.7253 |
23985 |
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立创商城
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IRLML0100TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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3000+:￥0.3325 1200+:￥0.4327 600+:￥0.4371 50+:￥0.5581 5+:￥0.6963 |
8038 |
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华秋商城
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IRLML0100TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23
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30000+:￥0.374 6000+:￥0.4038 3000+:￥0.425 800+:￥0.595 200+:￥0.85 10+:￥1.3175 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 290 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |