IRLML0100TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.31
211,159
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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IRLML0100TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23(Micro3)

3000+:¥0.31

1+:¥0.332

76098

2年内
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IRLML0100TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.3224

1+:¥0.34528

76017

2年内
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IRLML0100TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

6000+:¥0.3247

3000+:¥0.3463

500+:¥0.4553

150+:¥0.5093

50+:¥0.5813

5+:¥0.7253

23985

-
立即发货
IRLML0100TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.3325

1200+:¥0.4327

600+:¥0.4371

50+:¥0.5581

5+:¥0.6963

8038

-
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IRLML0100TRPBF
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.374

6000+:¥0.4038

3000+:¥0.425

800+:¥0.595

200+:¥0.85

10+:¥1.3175

20936

-
IRLML0100TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT23

3000+:¥0.462

500+:¥0.601

50+:¥0.685

5+:¥0.862

3528

22+/23+
IRLML0100TRPBF
INFINEON
SOT23

5+:¥0.7097

2282

2151
现货最快4H发
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Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

150+:¥0.73695

50+:¥0.78161

5+:¥0.8752

250

-
现货
IRLML0100TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

5000+:¥0.8046

2500+:¥0.8526

500+:¥0.9723

150+:¥1.2121

50+:¥1.3633

5+:¥1.7161

25

-
立即发货
IRLML0100TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.338

1500+:¥0.36192

200+:¥0.39832

1+:¥0.5772

76241

--
1-3工作日
IRLML0100TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
MICRO-3,SOT-23

3000+:¥0.3444

300+:¥0.3754

100+:¥0.4099

30+:¥0.4512

10+:¥0.5477

1+:¥0.6613

2999

24+
1工作日
IRLML0100TRPBF
Infineon Technologies/IR
MICRO-3,SOT-23

1+:¥0.3444

81

23+
1工作日
IRLML0100TRPBF
Infineon Technologies/IR
MICRO-3,SOT-23

150000+:¥0.3544

30000+:¥0.3575

6000+:¥0.3639

3000+:¥0.3765

90000

24+
3-4工作日
IRLML0100TRPBF
Infineon(英飞凌)
MICRO-3,SOT-23

60000+:¥0.3573

45000+:¥0.3606

3000+:¥0.364

1500+:¥0.3898

200+:¥0.429

1+:¥0.6216

79655

25+
2-4工作日
IRLML0100TRPBF
Infineon Technologies/IR
MICRO-3,SOT-23

15000+:¥0.3736

9000+:¥0.3801

6000+:¥0.3867

3000+:¥0.3932

71100

-
3-5工作日
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MICRO-3,SOT-23

3000+:¥0.3996

120000

22+
7-12工作日
IRLML0100TRPBF
Infineon Technologies/IR
MICRO-3,SOT-23

500+:¥1.1385

100+:¥1.2508

45+:¥1.368

46050

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 220 毫欧 @ 1.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 290 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3