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IRFS4310ZTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFS4310ZTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-2
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500+:￥4.98 100+:￥5.42 20+:￥8.15 1+:￥9.27 |
3000 |
21+/22+
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在芯间
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IRFS4310ZTRLPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥5.225 1600+:￥5.6406 800+:￥5.9375 400+:￥8.3125 100+:￥11.875 10+:￥19.3266 |
24510 |
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油柑网
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IRFS4310ZTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥5.37 1+:￥5.56 |
831 |
5年内
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圣禾堂
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IRFS4310ZTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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100+:￥5.38 30+:￥7.97 10+:￥8.85 1+:￥10.46 |
144 |
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立创商城
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IRFS4310ZTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263AB（D²PAK）
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1+:￥7.7104 |
130 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 170 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6860 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |