IRFS4310ZTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
¥4.98
28,709
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFS4310ZTRLPBF
Infineon(英飞凌)
TO-263-2

500+:¥4.98

100+:¥5.42

20+:¥8.15

1+:¥9.27

3000

21+/22+
IRFS4310ZTRLPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-263

8000+:¥5.225

1600+:¥5.6406

800+:¥5.9375

400+:¥8.3125

100+:¥11.875

10+:¥19.3266

24510

-
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Infineon(英飞凌)
D2PAK

800+:¥5.37

1+:¥5.56

831

5年内
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IRFS4310ZTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

100+:¥5.38

30+:¥7.97

10+:¥8.85

1+:¥10.46

144

-
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Infineon(英飞凌)
TO-263AB(D²PAK)

1+:¥7.7104

130

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IRFS4310ZTRLPBF
INFINEON
TO-263-2

1+:¥5.88

94

2246
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IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

40000+:¥5.189

8000+:¥5.2353

1600+:¥5.328

800+:¥5.5133

8101

23+
3-4工作日
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

10000+:¥5.3675

5000+:¥5.4625

1000+:¥5.605

10+:¥5.9375

24510

-
3-5工作日
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon(英飞凌)
TO-263-2

800+:¥5.5848

100+:¥5.7824

1+:¥6.8328

831

--
1-3工作日
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

24000+:¥5.9248

12000+:¥5.9808

800+:¥6.0144

100+:¥6.2272

1+:¥7.3584

831

23+
2-4工作日
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
D2PAK

1000+:¥5.9877

500+:¥6.3816

100+:¥6.7361

50+:¥7.4615

10+:¥8.0833

1+:¥8.5088

359

2326+
1工作日
IRFS4310ZTRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
D2PAK

1000+:¥5.9877

300+:¥6.1673

100+:¥6.4128

30+:¥7.1254

10+:¥8.5624

1+:¥9.5803

1599

22+
1工作日
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

1600+:¥6.9

800+:¥7.08

500+:¥7.2

10+:¥7.5

20000

-
3-5工作日
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

500+:¥15.249

100+:¥16.7678

4+:¥18.468

618

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 170 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6860 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB