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IRFS4227TRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：62A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥3.3 1+:￥3.45 |
171 |
23+
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圣禾堂
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263AB（D²PAK）
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1+:￥3.3493 |
873 |
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华秋商城
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥3.7 500+:￥3.86 100+:￥4.2 30+:￥4.96 10+:￥5.63 1+:￥6.86 |
3638 |
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立创商城
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-2
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100+:￥4.2 30+:￥4.96 10+:￥5.63 1+:￥6.86 |
13388 |
20+/21+
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在芯间
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IRFS4227TRLPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥4.543 1600+:￥4.9044 800+:￥5.1625 400+:￥7.2275 100+:￥10.325 10+:￥16.0038 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 62A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 46A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 98 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4600 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |