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IRFS4227TRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：62A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥3.3 1+:￥3.45 |
171 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263AB（D²PAK）
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1+:￥3.3493 |
873 |
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立即发货
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华秋商城
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥3.7 500+:￥3.86 100+:￥4.2 30+:￥4.96 10+:￥5.63 1+:￥6.86 |
3638 |
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立即发货
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立创商城
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-2
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100+:￥4.2 30+:￥4.96 10+:￥5.63 1+:￥6.86 |
13388 |
20+/21+
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在芯间
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IRFS4227TRLPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥4.543 1600+:￥4.9044 800+:￥5.1625 400+:￥7.2275 100+:￥10.325 10+:￥16.8039 |
13457 |
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油柑网
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263
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500+:￥7.35 100+:￥7.52 20+:￥8.04 1+:￥9.01 |
2536 |
18+
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在芯间
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-3
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800+:￥3.432 100+:￥3.588 1+:￥4.4824 |
1853 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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1000+:￥3.8509 200+:￥3.9985 20+:￥4.2704 |
20000 |
22+
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4-7工作日
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云汉芯城
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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40000+:￥4.0499 8000+:￥4.0861 1600+:￥4.1584 800+:￥4.303 |
32000 |
23+
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3-4工作日
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云汉芯城
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IRFS4227TRLPBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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D2PAK
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1000+:￥4.2111 300+:￥4.3374 100+:￥4.5101 30+:￥5.0112 10+:￥6.0219 1+:￥6.7378 |
3610 |
22+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRFS4227TRLPBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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D2PAK
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1000+:￥4.2111 300+:￥4.3374 100+:￥4.5101 30+:￥5.0112 10+:￥6.0219 1+:￥6.7378 |
986 |
22+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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4000+:￥4.5087 2400+:￥4.5878 1600+:￥4.6669 800+:￥4.746 |
16000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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800+:￥4.86 |
58000 |
24+
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7-12工作日
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云汉芯城
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IRFS4227TRLPBF
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Infineon Technologies
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D2PAK
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3200+:￥5.65 2400+:￥5.75 1600+:￥5.85 800+:￥5.9 |
64000 |
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5-8工作日
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云汉芯城
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IRFS4227TRLPBF
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INFINEON
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TO-263-2
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1+:￥37.73 |
1 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 62A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 46A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 98 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4600 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |