IRFR9024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
¥0.66
270,089
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
IRFR9024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3(DPAK)

2000+:¥0.66

1+:¥0.716

82924

25+
立即发货
IRFR9024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

2000+:¥0.6864

1+:¥0.74464

38087

25+
1-2工作日发货
IRFR9024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)

4000+:¥0.7203

2000+:¥0.7441

500+:¥0.8458

150+:¥1.0103

50+:¥1.1752

5+:¥1.5131

195

-
立即发货
IRFR9024NTRPBF
英飞凌(INFINEON)
D-PAK

20000+:¥0.726

4000+:¥0.7838

2000+:¥0.825

500+:¥1.155

200+:¥1.65

10+:¥2.6854

120000

-
IRFR9024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252AA

1000+:¥0.7439

500+:¥0.78

100+:¥0.8522

30+:¥0.9244

1+:¥0.9605

3414

-
立即发货
IRFR9024NTRPBF
Infineon
TO-252-3

2000+:¥0.7528

20000

21+
2-3工作日
IRFR9024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252

2000+:¥0.77

500+:¥0.88

50+:¥1.08

5+:¥1.31

4800

22+/21+
IRFR9024NTRPBF
INFINEON
TO-252AA

1+:¥0.8997

669

2219
现货最快4H发
IRFR9024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
D-Pak

2000+:¥0.6864

50+:¥0.74464

1+:¥0.96824

11542

--
1-3工作日
IRFR9024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
2000,SOP-8,TO-252

60000+:¥0.728

40000+:¥0.7358

2000+:¥0.7392

50+:¥0.8019

1+:¥1.0427

30830

25+
2-4工作日
IRFR9024NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
2000,SOP-8,TO-252

2000+:¥0.7379

300+:¥0.7969

100+:¥0.8707

30+:¥1.0699

10+:¥1.343

1+:¥1.3651

10939

24+
1-3工作日
IRFR9024NTRPBF
Infineon Technologies/IR
2000,SOP-8,TO-252

10000+:¥0.7458

5000+:¥0.759

1000+:¥0.7788

10+:¥0.825

120000

-
3-5工作日
IRFR9024NTRPBF
Infineon Technologies/IR
2000,SOP-8,TO-252

20000+:¥0.7498

10000+:¥0.7694

6000+:¥0.7954

2000+:¥0.815

26000

-
3-5工作日
IRFR9024NTRPBF
Infineon Technologies/IR
2000,SOP-8,TO-252

1000+:¥0.757

200+:¥0.7865

20+:¥0.8402

30000

24+
4-7工作日
IRFR9024NTRPBF
Infineon Technologies/IR
2000,SOP-8,TO-252

100000+:¥0.772

20000+:¥0.7789

4000+:¥0.7927

2000+:¥0.8203

120000

25+
3-4工作日
IRFR9024NTRPBF
Infineon Technologies/IR
2000,SOP-8,TO-252

4000+:¥1.15

2000+:¥1.18

500+:¥1.2

10+:¥1.25

100000

-
3-5工作日
IRFR9024NTRPBF
Infineon Technologies
2000,SOP-8,TO-252

5000+:¥0.78

1000+:¥0.8211

300+:¥0.975

100+:¥1.1143

1+:¥1.3

1

2203+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 175 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 19 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 350 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 38W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63