IRFR7546TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
¥1.6
46,064
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):56A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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价格(含税)
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渠道
IRFR7546TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3(DPAK)

2000+:¥1.6

1+:¥1.67

20000

25+
立即发货
IRFR7546TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

2000+:¥1.664

1+:¥1.7368

19994

25+
1-2工作日发货
IRFR7546TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)

1000+:¥2.0

500+:¥2.14

100+:¥2.45

30+:¥2.89

10+:¥3.33

1+:¥4.22

2866

-
立即发货
IRFR7546TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

100+:¥2.65

30+:¥3.09

10+:¥3.54

1+:¥4.43

3204

20+/21+
IRFR7546TRPBF
Infineon Technologies/IR
2000

16000+:¥2.0611

8000+:¥2.0973

4000+:¥2.1334

2000+:¥2.26

10000

25+
3-6工作日
IRFR7546TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
2000

2000+:¥2.2222

300+:¥2.4

100+:¥2.4444

30+:¥2.9556

10+:¥3.2444

1+:¥3.7778

6000

25+
1-3工作日
IRFR7546TRPBF
INFINEON
TO-252-2

1+:¥3.1008

331

-
现货最快4H发
IRFR7546TRPBF
Infineon Technologies/IR
2000

500+:¥3.542

100+:¥3.9648

15+:¥4.368

1753

-
14-18工作日
IRFR7546TRPBF
Infineon(英飞凌)
2000

87+:¥4.1722

85+:¥4.2085

84+:¥4.281

83+:¥4.535

314

-
6-8工作日
IRFR7546TRPBF
Infineon Technologies/IR
2000

2500+:¥4.9061

1000+:¥5.0315

500+:¥5.1611

50+:¥5.2924

10520

-
10-15工作日
IRFR7546TRPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-252-2(DPAK)

1000+:¥3.1333

500+:¥3.6033

100+:¥3.9166

30+:¥4.3866

10+:¥5.3266

1+:¥6.2666

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.9 毫欧 @ 43A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 87 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3020 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 99W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63