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IRFR7540TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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封装
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价格(含税)
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IRFR7540TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA(DPAK)
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2000+:￥1.83 1+:￥1.92 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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1000+:￥1.83 500+:￥1.88 100+:￥2.29 30+:￥2.45 10+:￥2.6 1+:￥2.91 |
2283 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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DPAK
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2000+:￥1.9032 1+:￥1.9968 |
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥2.1131 4000+:￥2.2812 2000+:￥2.4013 500+:￥3.3618 200+:￥4.8026 10+:￥7.8162 |
20000 |
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油柑网
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Infineon Technologies/IR
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D-PAK，TO-252AA
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2000+:￥1.8833 300+:￥2.034 100+:￥2.0717 30+:￥2.5048 10+:￥2.7497 1+:￥3.2017 |
1244 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 毫欧 @ 66A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 130 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4360 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |