IRFR7540TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
¥1.83
24,228
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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IRFR7540TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252AA(DPAK)

2000+:¥1.83

1+:¥1.92

974

23+
立即发货
IRFR7540TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)

1000+:¥1.83

500+:¥1.88

100+:¥2.29

30+:¥2.45

10+:¥2.6

1+:¥2.91

2283

-
立即发货
IRFR7540TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK

2000+:¥1.9032

1+:¥1.9968

971

23+
1-2工作日发货
IRFR7540TRPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-252

20000+:¥2.1131

4000+:¥2.2812

2000+:¥2.4013

500+:¥3.3618

200+:¥4.8026

10+:¥7.8162

20000

-
IRFR7540TRPBF
Infineon Technologies/IR
D-PAK,TO-252AA

2000+:¥1.8833

300+:¥2.034

100+:¥2.0717

30+:¥2.5048

10+:¥2.7497

1+:¥3.2017

1244

22+
1工作日
IRFR7540TRPBF
Infineon Technologies/IR
D-PAK,TO-252AA

100000+:¥1.8984

20000+:¥1.9154

4000+:¥1.9493

2000+:¥2.0171

90000

22+
3-4工作日
IRFR7540TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK

2000+:¥1.9032

1000+:¥1.9968

100+:¥2.288

1+:¥2.9848

974

--
1-3工作日
IRFR7540TRPBF
Infineon Technologies/IR
D-PAK,TO-252AA

16000+:¥1.9323

8000+:¥1.9662

4000+:¥2.0001

2000+:¥2.1188

8000

22+
3-6工作日
IRFR7540TRPBF
Infineon Technologies/IR
D-PAK,TO-252AA

10000+:¥2.5538

5000+:¥2.599

1000+:¥2.6668

10+:¥2.825

8000

-
3-5工作日
IRFR7540TRPBF
Infineon Technologies/IR
D-PAK,TO-252AA

4000+:¥2.76

2000+:¥2.832

500+:¥2.88

10+:¥3.0

100000

-
3-5工作日
IRFR7540TRPBF
Infineon Technologies/IR
D-PAK,TO-252AA

500+:¥5.6005

100+:¥6.1596

10+:¥6.792

14707

-
14-18工作日
IRFR7540TRPBF
INFINEON
D-PAK

500+:¥2.352

250+:¥2.45

100+:¥2.744

25+:¥2.94

1+:¥3.332

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.8 毫欧 @ 66A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 130 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4360 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63