IRFR5305TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
¥1.1
101,831
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
IRFR5305TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)

1000+:¥1.1

500+:¥1.14

100+:¥1.23

30+:¥1.45

10+:¥1.7

1+:¥2.21

1411

-
立即发货
IRFR5305TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252(DPAK)

1000+:¥1.1

500+:¥1.15

100+:¥1.25

30+:¥1.35

1+:¥1.4

2199

-
立即发货
IRFR5305TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3(DPAK)

2000+:¥1.12

1+:¥1.19

13369

25+
立即发货
IRFR5305TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2

500+:¥1.16

100+:¥1.25

20+:¥1.48

1+:¥1.85

5625

24+/25+
IRFR5305TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

2000+:¥1.1648

1+:¥1.2376

6908

25+
1-2工作日发货
IRFR5305TRPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-252

20000+:¥1.375

4000+:¥1.4844

2000+:¥1.5625

500+:¥2.1875

200+:¥3.125

10+:¥4.8438

70619

-
IRFR5305TRPBF
INFINEON
TO-252-3

1+:¥1.8326

1700

2431
现货最快4H发
IRFR5305TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

2000+:¥1.2064

1000+:¥1.2792

100+:¥1.4664

1+:¥1.9136

22815

--
1-3工作日
IRFR5305TRPBF
Infineon Technologies
TO-247,TO-252,TO-252-2

2000+:¥1.2357

1000+:¥1.2921

500+:¥1.3442

100+:¥1.447

50+:¥1.6706

10+:¥1.9797

1+:¥2.5547

37924

2506+
1工作日
IRFR5305TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-247,TO-252,TO-252-2

16000+:¥1.2494

8000+:¥1.2714

4000+:¥1.2933

2000+:¥1.37

12000

25+
3-6工作日
IRFR5305TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-247,TO-252,TO-252-2

100000+:¥1.2656

20000+:¥1.2769

4000+:¥1.2995

2000+:¥1.3447

98000

25+
3-4工作日
IRFR5305TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
TO-247,TO-252,TO-252-2

2000+:¥1.2778

300+:¥1.38

100+:¥1.4056

30+:¥1.6994

10+:¥1.8656

1+:¥2.1722

10920

24+
1-3工作日
IRFR5305TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-247,TO-252,TO-252-2

16000+:¥1.334

8000+:¥1.357

4000+:¥1.403

2000+:¥1.4375

50000

24+
3-5工作日
IRFR5305TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-247,TO-252,TO-252-2

10000+:¥1.4125

5000+:¥1.4375

1000+:¥1.475

10+:¥1.5625

70619

-
3-5工作日
IRFR5305TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
TO-247,TO-252,TO-252-2

1000+:¥1.5192

500+:¥1.5899

100+:¥1.6674

10+:¥1.7308

1+:¥1.8231

1960

2437+
1工作日
IRFR5305TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-247,TO-252,TO-252-2

4000+:¥1.84

2000+:¥1.888

500+:¥1.92

10+:¥2.0

100000

-
3-5工作日
IRFR5305TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-247,TO-252,TO-252-2

6000+:¥2.2638

4000+:¥2.2998

2000+:¥2.3357

46000

24+
5-10工作日
IRFR5305TRPBF
Infineon Technologies/IR
TO-247,TO-252,TO-252-2

65+:¥4.301

39+:¥4.7318

13+:¥5.208

70156

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 65 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 63 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1200 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63