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IRFR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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IRFR120NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥0.72 1+:￥0.781 |
33502 |
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圣禾堂
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥0.7488 1+:￥0.81224 |
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25+
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硬之城
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IRFR120NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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4000+:￥0.75 2000+:￥0.7997 500+:￥0.8824 150+:￥1.1783 50+:￥1.3272 5+:￥1.6747 |
22955 |
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IRFR120NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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1000+:￥0.7597 500+:￥0.7952 100+:￥0.8662 30+:￥0.9372 1+:￥0.9727 |
2708 |
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英飞凌(INFINEON)
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D-PAK
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20000+:￥0.88 4000+:￥0.95 2000+:￥1.0 500+:￥1.4 200+:￥2.0 10+:￥3.1 |
110043 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 210 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |