咨询/建议
IRFR120NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-3(DPAK)
|
2000+:￥0.72 1+:￥0.781 |
33502 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-2(DPAK)
|
2000+:￥0.7488 1+:￥0.81224 |
33494 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
DPAK(TO-252AA)
|
4000+:￥0.75 2000+:￥0.7997 500+:￥0.8824 150+:￥1.1783 50+:￥1.3272 5+:￥1.6747 |
22955 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252AA
|
1000+:￥0.7597 500+:￥0.7952 100+:￥0.8662 30+:￥0.9372 1+:￥0.9727 |
2708 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
IRFR120NTRPBF
|
英飞凌(INFINEON)
|
D-PAK
|
20000+:￥0.88 4000+:￥0.95 2000+:￥1.0 500+:￥1.4 200+:￥2.0 10+:￥3.1 |
110043 |
-
|
油柑网
|
|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252
|
500+:￥1.04 100+:￥1.42 20+:￥1.63 1+:￥2.35 |
13685 |
22+/23+
|
在芯间
|
|
|
IRFR120NTRPBF
|
INFINEON
|
TO-252-3
|
5+:￥2.0029 |
4395 |
2130
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-2(DPAK)
|
2000+:￥0.7696 50+:￥0.83512 1+:￥1.0816 |
43091 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon Technologies/IR
|
2000，TO-252，TO-252-3
|
1000+:￥0.8115 500+:￥0.8649 10+:￥0.9286 |
56303 |
-
|
3-6工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR120NTRPBF
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
2000，TO-252，TO-252-3
|
2000+:￥0.8667 300+:￥0.9447 100+:￥1.0313 30+:￥1.1353 10+:￥1.378 1+:￥1.664 |
5967 |
25+
|
1-3工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon Technologies/IR
|
2000，TO-252，TO-252-3
|
10000+:￥0.904 5000+:￥0.92 1000+:￥0.944 10+:￥1.0 |
108843 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon Technologies/IR
|
2000，TO-252，TO-252-3
|
100000+:￥0.9176 20000+:￥0.9258 4000+:￥0.9421 2000+:￥0.9749 |
32874 |
25+
|
3-4工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon Technologies/IR
|
2000，TO-252，TO-252-3
|
20000+:￥0.9373 10000+:￥0.9617 6000+:￥0.9943 2000+:￥1.0188 |
18000 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR120NTRPBF
|
Infineon Technologies/IR
|
2000，TO-252，TO-252-3
|
4000+:￥1.265 2000+:￥1.298 500+:￥1.32 10+:￥1.375 |
100000 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR120NTRPBF
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
2000，TO-252，TO-252-3
|
500+:￥1.4304 100+:￥1.5057 30+:￥1.788 10+:￥2.0435 1+:￥2.384 |
1 |
2322+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 210 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |