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IRFR024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFR024NTRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥0.517 4000+:￥0.5581 2000+:￥0.5875 500+:￥0.8225 200+:￥1.175 10+:￥1.9124 |
109 |
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油柑网
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IRFR024NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥0.65 1+:￥0.705 |
18851 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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IRFR024NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥0.676 1+:￥0.7332 |
14809 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFR024NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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4000+:￥0.7163 2000+:￥0.74 500+:￥0.7794 150+:￥0.923 50+:￥1.084 5+:￥1.4137 |
5430 |
-
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立即发货
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立创商城
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IRFR024NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO252-2
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2000+:￥0.74 500+:￥0.77 50+:￥0.92 5+:￥1.35 |
2800 |
23+/24+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 370 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |