咨询/建议
IRFR024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IRFR024NTRPBF
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-252
|
20000+:￥0.517 4000+:￥0.5581 2000+:￥0.5875 500+:￥0.8225 200+:￥1.175 10+:￥1.9124 |
109 |
-
|
油柑网
|
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-3(DPAK)
|
2000+:￥0.65 1+:￥0.705 |
18851 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-2(DPAK)
|
2000+:￥0.676 1+:￥0.7332 |
14809 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
DPAK(TO-252AA)
|
4000+:￥0.7163 2000+:￥0.74 500+:￥0.7794 150+:￥0.923 50+:￥1.084 5+:￥1.4137 |
5430 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO252-2
|
2000+:￥0.74 500+:￥0.77 50+:￥0.92 5+:￥1.35 |
2800 |
23+/24+
|
在芯间
|
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252AA
|
1000+:￥0.8239 500+:￥0.8624 100+:￥0.9394 30+:￥1.0164 1+:￥1.0549 |
1123 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
IRFR024NTRPBF
|
INFINEON
|
TO-252-3
|
1+:￥0.9163 |
22 |
2123
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252，TO-252-2，TO-252-3
|
60000+:￥0.7504 40000+:￥0.7582 2000+:￥0.7616 50+:￥0.8266 1+:￥1.0741 |
31211 |
25+
|
2-4工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon Technologies/IR
|
TO-252，TO-252-2，TO-252-3
|
10000+:￥0.7684 5000+:￥0.782 1000+:￥0.8024 10+:￥0.85 |
117850 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon Technologies
|
TO-252，TO-252-2，TO-252-3
|
2000+:￥0.7818 1000+:￥0.8054 500+:￥0.8485 100+:￥1.0029 10+:￥1.122 1+:￥1.3142 |
11551 |
2423+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR024NTRPBF
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
TO-252，TO-252-2，TO-252-3
|
2000+:￥0.7818 300+:￥0.8522 100+:￥0.9303 30+:￥1.0242 10+:￥1.2431 1+:￥1.5011 |
6185 |
24+
|
1-3工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon Technologies/IR
|
TO-252，TO-252-2，TO-252-3
|
100000+:￥0.8226 20000+:￥0.83 4000+:￥0.8447 2000+:￥0.8741 |
11734 |
24+
|
3-4工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon Technologies/IR
|
TO-252，TO-252-2，TO-252-3
|
4000+:￥1.15 2000+:￥1.18 500+:￥1.2 10+:￥1.25 |
200000 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFR024NTRPBF
|
Infineon Technologies/IR
|
TO-252，TO-252-2，TO-252-3
|
95+:￥2.76 57+:￥3.0326 19+:￥3.336 |
99942 |
-
|
14-18工作日
|
云汉芯城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 370 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |