IRFP4768PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
¥6.49
69,045
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):250 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):93A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFP4768PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC

1000+:¥6.49

500+:¥6.73

100+:¥7.26

25+:¥8.44

10+:¥10.39

1+:¥12.24

1658

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IRFP4768PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3

1200+:¥6.696

800+:¥6.71

400+:¥6.79

60000

25+
1-3工作日
IRFP4768PBF
英飞凌(INFINEON)
TO-247

250+:¥6.842

50+:¥7.3863

25+:¥7.775

15+:¥10.885

5+:¥15.55

1+:¥25.3076

3975

-
IRFP4768PBF
Infineon(英飞凌)
TO247

500+:¥7.52

100+:¥7.69

20+:¥8.95

1+:¥10.9

3240

22+/23+
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Infineon(英飞凌)
TO-247AC

400+:¥6.76

1+:¥7.03

99

23+
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TO247AC-3

10+:¥9.54

1+:¥9.99

73

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 93A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 17.5 毫欧 @ 56A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 270 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 10880 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 520W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3