IRFP4668PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
¥7.02
34,470
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
IRFP4668PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC

1000+:¥7.02

500+:¥7.2

100+:¥7.64

25+:¥8.59

10+:¥11.03

1+:¥12.51

1880

-
立即发货
IRFP4668PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247

500+:¥7.02

100+:¥7.58

20+:¥8.68

1+:¥9.98

1000

23+/24+
IRFP4668PBF
Infineon(英飞凌)
TO247AC

100+:¥7.5636

25+:¥8.5041

1+:¥12.3849

240

-
立即发货
IRFP4668PBF
英飞凌(INFINEON)
TO-247

250+:¥8.701

50+:¥9.3931

25+:¥9.8875

15+:¥13.8425

5+:¥19.775

1+:¥30.6513

31350

-
IRFP4668PBF
Infineon Technologies/IR
TO-247AC

50+:¥7.412

30+:¥7.48

20+:¥7.616

10+:¥8.5

6400

25+
3-5工作日

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.7 毫欧 @ 81A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 241 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 10720 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 520W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3