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IRFP4668PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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IRFP4668PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-247AC
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1000+:￥7.02 500+:￥7.2 100+:￥7.64 25+:￥8.59 10+:￥11.03 1+:￥12.51 |
1880 |
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立创商城
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IRFP4668PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-247
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500+:￥7.02 100+:￥7.58 20+:￥8.68 1+:￥9.98 |
1000 |
23+/24+
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在芯间
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IRFP4668PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO247AC
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100+:￥7.5636 25+:￥8.5041 1+:￥12.3849 |
240 |
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华秋商城
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IRFP4668PBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-247
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250+:￥8.701 50+:￥9.3931 25+:￥9.8875 15+:￥13.8425 5+:￥19.775 1+:￥30.6513 |
31350 |
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油柑网
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IRFP4668PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-247AC
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50+:￥7.412 30+:￥7.48 20+:￥7.616 10+:￥8.5 |
6400 |
25+
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFP4668PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-247AC
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3200+:￥7.8824 1600+:￥8.016 800+:￥8.2164 400+:￥8.35 |
4000 |
23+
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5-7工作日
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云汉芯城
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IRFP4668PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-247AC
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2000+:￥8.165 1200+:￥8.307 800+:￥8.449 400+:￥8.733 |
20000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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IRFP4668PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-247AC
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400+:￥8.76 |
2838 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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IRFP4668PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-247AC
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10000+:￥8.9383 5000+:￥9.0965 1000+:￥9.3338 10+:￥9.8875 |
31320 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFP4668PBF
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Infineon Technologies
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TO-247AC
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250+:￥9.944 125+:￥10.12 75+:￥10.384 |
50000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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IRFP4668PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-247AC
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1200+:￥12.145 800+:￥12.3378 400+:￥12.5306 |
30000 |
23+
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7-9工作日
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云汉芯城
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IRFP4668PBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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TO-247AC
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1+:￥15.2 |
244 |
23+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRFP4668PBF
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Infineon Technologies
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TO-247AC
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500+:￥16.42 100+:￥16.912 50+:￥17.419 10+:￥17.942 1+:￥18.838 |
11 |
2312+
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1工作日
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云汉芯城
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IRFP4668PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-247AC
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400+:￥6.99 1+:￥7.28 |
0 |
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立即发货
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圣禾堂
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IRFP4668PBF
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INFINEON
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TO-247-3
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1+:￥13.916 |
0 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRFP4668PBF
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Infineon Technologies
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TO-247AC
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500+:￥15.0 100+:￥15.7895 30+:￥18.75 10+:￥21.4286 1+:￥25.0 |
6 |
2040+
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1工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.7 毫欧 @ 81A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 241 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10720 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 520W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |