IRFP4227PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
¥6
5,560
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
IRFP4227PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC

1000+:¥6.6

500+:¥6.82

100+:¥7.33

25+:¥8.45

10+:¥9.55

1+:¥11.3

1647

-
立即发货
IRFP4227PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247

500+:¥6.66

100+:¥7.47

20+:¥8.61

1+:¥10.2

2301

22+/23+
IRFP4227PBF
英飞凌(INFINEON)
TO-247AC-3

250+:¥6.842

50+:¥7.3863

25+:¥7.775

15+:¥10.885

5+:¥15.55

1+:¥25.3076

1378

-
IRFP4227PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC

400+:¥6.0

1+:¥6.24

46

21+
立即发货
IRFP4227PBF
Infineon(英飞凌)
TO247AC-3

30+:¥6.858

10+:¥6.985

1+:¥7.62

93

-
立即发货

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 46A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 98 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 330W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3