IRFP4227PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
¥6
5,560
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFP4227PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC

1000+:¥6.6

500+:¥6.82

100+:¥7.33

25+:¥8.45

10+:¥9.55

1+:¥11.3

1647

-
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IRFP4227PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247

500+:¥6.66

100+:¥7.47

20+:¥8.61

1+:¥10.2

2301

22+/23+
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英飞凌(INFINEON)
TO-247AC-3

250+:¥6.842

50+:¥7.3863

25+:¥7.775

15+:¥10.885

5+:¥15.55

1+:¥25.3076

1378

-
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Infineon(英飞凌)
TO-247AC

400+:¥6.0

1+:¥6.24

46

21+
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Infineon(英飞凌)
TO247AC-3

30+:¥6.858

10+:¥6.985

1+:¥7.62

93

-
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IRFP4227PBF
INFINEON
TO-247

1+:¥13.034

95

-
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IRFP4227PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
TO-247AC

1000+:¥6.036

300+:¥6.217

100+:¥6.4645

30+:¥6.951

10+:¥7.8745

1+:¥8.7521

389

22+
1工作日
IRFP4227PBF
Infineon Technologies/IR
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400+:¥6.156

40000

21+
7-12工作日
IRFP4227PBF
Infineon Technologies/IR
TO-247AC

10000+:¥7.0286

5000+:¥7.153

1000+:¥7.3396

10+:¥7.775

1378

-
3-5工作日
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Infineon Technologies/IR
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4000+:¥7.345

2400+:¥7.475

1600+:¥7.67

800+:¥8.125

800

22+
5-10工作日
IRFP4227PBF
Infineon Technologies
TO-247AC

100+:¥8.75

50+:¥9.1875

10+:¥9.6469

1+:¥10.4186

64

2217+
1工作日
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Infineon Technologies/IR
TO-247AC

1200+:¥9.66

800+:¥9.912

400+:¥10.08

10+:¥10.5

20000

-
3-5工作日
IRFP4227PBF
Infineon Technologies/IR
TO-247AC

1200+:¥11.97

800+:¥12.39

400+:¥12.81

10000

-
5-12工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 46A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 98 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 330W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3