IRFL9014TRPBF
VISHAY(威世)
SOT-223
¥0.76
78,223
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFL9014TRPBF
VISHAY(威世)
SOT-223

2500+:¥0.76

1+:¥0.82

13757

2年内
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IRFL9014TRPBF
VISHAY(威世)
SOT-223

5000+:¥0.7878

2500+:¥0.8371

500+:¥0.9192

150+:¥1.2174

50+:¥1.3682

5+:¥1.7202

11670

-
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IRFL9014TRPBF
Vishay(威世)
SOT-223-4

2500+:¥0.7904

1+:¥0.8528

13752

2年内
1-2工作日发货
IRFL9014TRPBF
威世(VISHAY)
SOT-223-4

25000+:¥0.836

5000+:¥0.9025

2500+:¥0.95

800+:¥1.33

200+:¥1.9

10+:¥3.0923

13757

-
IRFL9014TRPBF
Vishay(威世)
SOT-223-3

2500+:¥0.836

1250+:¥0.902

100+:¥1.0648

40+:¥1.375

13757

-
3天-15天
IRFL9014TRPBF
Vishay(威世)
SOT-223

1000+:¥0.9851

500+:¥1.0294

100+:¥1.1178

30+:¥1.2063

1+:¥1.2505

1533

-
立即发货
IRFL9014TRPBF
Vishay
SOT-223-4

2500+:¥1.1898

1000+:¥1.2136

500+:¥1.2379

100+:¥1.3617

50+:¥1.4979

10+:¥1.7058

7500

2213
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IRFL9014TRPBF
Vishay(威世)
SOT-223-3

1000+:¥11.796

500+:¥11.8631

300+:¥11.9493

100+:¥12.3709

50+:¥13.0129

30+:¥13.8754

10+:¥18.1683

6+:¥29.0922

2497

-
3周-4周
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Vishay(威世)
SOT-223-3

2500+:¥0.7904

1250+:¥0.8528

100+:¥1.00672

1+:¥1.3

14948

--
1-3工作日
IRFL9014TRPBF
Vishay Semiconductors
SOT-223

2500+:¥0.8732

960000

24+
5-15工作日
IRFL9014TRPBF
VISHAY(威世)
SOT-223

2500+:¥0.888

1250+:¥0.9568

100+:¥1.1011

1+:¥1.4319

15272

24+
2-4工作日
IRFL9014TRPBF
VISHAY INTERTECHNOLOGY
SOT-223

500+:¥0.9224

100+:¥0.9714

30+:¥1.0157

10+:¥1.0508

1+:¥1.1695

6499

24+
1-3工作日
IRFL9014TRPBF
Vishay Intertechnology
SOT-223

500+:¥0.98

100+:¥1.1703

30+:¥1.2647

10+:¥1.3106

1+:¥1.467

1118

2405+
1工作日
IRFL9014TRPBF
Vishay Semiconductors
SOT-223

10000+:¥1.0961

5000+:¥1.1155

1000+:¥1.1446

10+:¥1.2125

30000

-
3-5工作日
IRFL9014TRPBF
VISHAY
SOT-223

2500+:¥1.2806

327500

23+
3-5工作日
IRFL9014TRPBF
Vishay Semiconductors
SOT-223

125000+:¥1.4145

62500+:¥1.4268

12500+:¥1.4514

2500+:¥1.5006

130000

-
5-7工作日
IRFL9014TRPBF
VISHAY(威世)
SOT-223

100+:¥1.197

30+:¥1.197

10+:¥1.197

1+:¥1.197

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20+/21+
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VISHAY
SOT-223

1+:¥1.2074

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-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 500 毫欧 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 270 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 2W(Ta),3.1W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA