IRFL4310TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-223
¥1.1544
44,114
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFL4310TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-223

2500+:¥1.12

1+:¥1.19

20411

25+
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SOT-223

2500+:¥1.1544

1+:¥1.2272

20100

25+
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英飞凌(INFINEON)
SOT-223

25000+:¥1.243

5000+:¥1.3419

2500+:¥1.4125

800+:¥1.9775

200+:¥2.825

10+:¥4.5977

20000

-
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SOT223

500+:¥1.53

100+:¥1.96

20+:¥2.26

1+:¥3.08

3562

21+
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SOT-223

500+:¥1.9107

10+:¥2.3616

1+:¥2.8992

300

-
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100+:¥1.93

30+:¥2.23

10+:¥2.46

1+:¥3.02

152

-
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2500+:¥1.1648

1250+:¥1.2376

100+:¥1.4248

1+:¥1.8408

2911

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1+:¥1.9208

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-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 200 毫欧 @ 1.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 25 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 330 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA