IRFH7084TRPBF
Infineon(英飞凌)
TDSON-8
¥2.53
64,442
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFH7084TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-8(5x6)

4000+:¥2.53

1+:¥2.64

7617

25+
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IRFH7084TRPBF
Infineon(英飞凌)
TDSON-8

4000+:¥2.6312

1+:¥2.7456

7609

25+
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IRFH7084TRPBF
Infineon(英飞凌)
TDSON-8

1000+:¥2.7

500+:¥2.89

100+:¥4.1

30+:¥4.69

10+:¥5.29

1+:¥6.49

15028

-
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IRFH7084TRPBF
Infineon
PQFN-8

4000+:¥2.9099

1000+:¥3.0554

500+:¥3.2082

100+:¥3.3686

50+:¥3.7055

10+:¥4.0761

8000

2142
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IRFH7084TRPBF
Infineon(英飞凌)
PowerTDFN8

1000+:¥3.22

500+:¥3.36

100+:¥3.64

30+:¥3.92

1+:¥4.06

276

-
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IRFH7084TRPBF
英飞凌(INFINEON)
QFN

40000+:¥3.608

8000+:¥3.895

4000+:¥4.1

1000+:¥5.74

300+:¥8.2

10+:¥13.3455

21230

-
IRFH7084TRPBF
INFINEON
PG-TDSON-8

1+:¥4.5233

482

2146
现货最快4H发
IRFH7084TRPBF
Infineon(英飞凌)
QFN8

500+:¥5.59

100+:¥6.12

20+:¥6.93

1+:¥8.99

4200

18+
IRFH7084TRPBF
Infineon(英飞凌)
TDSON-8

4000+:¥2.704

2000+:¥2.8184

1000+:¥2.964

100+:¥3.1928

1+:¥3.848

7623

--
1-3工作日
IRFH7084TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-8,TDSON-8

52000+:¥2.8784

24000+:¥2.9008

4000+:¥2.912

2000+:¥3.0352

1000+:¥3.192

100+:¥3.4384

1+:¥4.144

7623

25+
2-4工作日
IRFH7084TRPBF
Infineon
PQFN-8,TDSON-8

4000+:¥3.3464

1000+:¥3.5137

500+:¥3.6894

100+:¥3.9076

50+:¥4.3725

10+:¥5.0951

8000

21+
3-5工作日
IRFH7084TRPBF
Infineon Technologies/IR
PQFN-8,TDSON-8

20000+:¥3.3493

12000+:¥3.4081

8000+:¥3.4668

4000+:¥3.5256

40000

-
3-5工作日
IRFH7084TRPBF
Infineon Technologies/IR
PQFN-8,TDSON-8

10000+:¥3.7064

5000+:¥3.772

1000+:¥3.8704

10+:¥4.1

21230

-
3-5工作日
IRFH7084TRPBF
Infineon Technologies/IR
PQFN-8,TDSON-8

100+:¥4.1009

30+:¥4.6763

10+:¥5.3288

1+:¥6.6412

264

21+
1工作日
IRFH7084TRPBF
Infineon Technologies/IR
PQFN-8,TDSON-8

500+:¥11.9025

100+:¥13.0862

5+:¥14.412

8648

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.25 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 190 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6560 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 156W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN