IRFH5302TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-8(5x6)
¥2.05
10,981
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A(Ta),100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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IRFH5302TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN5X6

500+:¥2.05

100+:¥2.17

20+:¥2.62

1+:¥3.25

1000

18+/19+
IRFH5302TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN(5x6)

4000+:¥2.12

1+:¥2.21

988

22+
立即发货
IRFH5302TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-8(5x6)

4000+:¥2.2048

1+:¥2.2984

983

22+
1-2工作日发货
IRFH5302TRPBF
英飞凌(INFINEON)
QFN

40000+:¥2.3617

8000+:¥2.5496

4000+:¥2.6838

1000+:¥3.7573

300+:¥5.3676

10+:¥8.7358

8000

-
IRFH5302TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-8(5x6)

4000+:¥2.2048

2000+:¥2.2984

1000+:¥2.4232

100+:¥2.6104

1+:¥3.1408

4988

--
1-3工作日
IRFH5302TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-5,PQFN-8,TO-220

52000+:¥2.3408

24000+:¥2.3632

4000+:¥2.3744

2000+:¥2.4752

1000+:¥2.6096

100+:¥2.8112

1+:¥3.3824

4988

25+
2-4工作日
IRFH5302TRPBF
Infineon Technologies/IR
PQFN-5,PQFN-8,TO-220

50+:¥2.398

30+:¥2.42

20+:¥2.464

10+:¥2.75

3920

22+
3-5工作日
IRFH5302TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
PQFN-5,PQFN-8,TO-220

4000+:¥2.4444

300+:¥2.64

100+:¥2.6889

30+:¥3.2511

10+:¥3.5689

1+:¥4.1556

4000

22+
1-3工作日
IRFH5302TRPBF
Infineon Technologies/IR
PQFN-5,PQFN-8,TO-220

10000+:¥3.1979

5000+:¥3.2545

1000+:¥3.3394

10+:¥3.5375

12000

-
3-5工作日
IRFH5302TRPBF
Infineon Technologies/IR
PQFN-5,PQFN-8,TO-220

4000+:¥4.9729

4000

-
10-15工作日
IRFH5302TRPBF
Infineon Technologies/IR
PQFN-5,PQFN-8,TO-220

500+:¥5.2555

100+:¥5.782

10+:¥6.36

3980

-
14-18工作日
IRFH5302TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-8(5x6)

2000+:¥2.167

500+:¥2.2064

100+:¥2.364

1+:¥2.561

0

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立即发货
IRFH5302TRPBF
INFINEON
PQFN 5x6

1+:¥4.8726

10

1622
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 32A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.1 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 76 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4400 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 3.6W(Ta),100W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN