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IRFB7534PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：195A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥2.32 1+:￥2.43 |
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1000+:￥2.4128 1+:￥2.5272 |
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1000+:￥2.42 500+:￥2.48 100+:￥2.59 50+:￥2.79 10+:￥3.9 1+:￥4.3 |
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500+:￥3.48 100+:￥3.52 20+:￥4.98 1+:￥5.34 |
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英飞凌(INFINEON)
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500+:￥3.487 100+:￥3.7644 50+:￥3.9625 20+:￥5.5475 10+:￥7.925 1+:￥12.8979 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 279 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10034 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 294W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |