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IRFB7534PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：195A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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IRFB7534PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.32 1+:￥2.43 |
2898 |
22+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.4128 1+:￥2.5272 |
2873 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.42 500+:￥2.48 100+:￥2.59 50+:￥2.79 10+:￥3.9 1+:￥4.3 |
1334 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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500+:￥3.48 100+:￥3.52 20+:￥4.98 1+:￥5.34 |
3645 |
21+/22+
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在芯间
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥3.487 100+:￥3.7644 50+:￥3.9625 20+:￥5.5475 10+:￥7.925 1+:￥12.8979 |
15388 |
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油柑网
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IRFB7534PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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100+:￥2.6212 30+:￥2.774 10+:￥2.8248 1+:￥3.0793 |
88 |
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立即发货
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华秋商城
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IRFB7534PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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500+:￥2.48 300+:￥2.6784 100+:￥2.728 30+:￥3.2984 10+:￥3.6208 1+:￥4.216 |
165 |
21+
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1工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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50+:￥2.5615 30+:￥2.585 20+:￥2.632 10+:￥2.9375 |
24000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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50000+:￥2.6578 10000+:￥2.6815 2000+:￥2.729 1000+:￥2.8239 |
8000 |
21+
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3-4工作日
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云汉芯城
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IRFB7534PBF
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INFINEON
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TO-220AB
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1000+:￥3.3333 300+:￥3.6 100+:￥3.6667 30+:￥4.4333 10+:￥4.8667 1+:￥5.6667 |
1855 |
21+
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1工作日
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云汉芯城
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IRFB7534PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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1000+:￥3.672 |
85000 |
24+
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7-12工作日
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云汉芯城
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IRFB7534PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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5+:￥4.1222 3+:￥4.1946 2+:￥4.2669 1+:￥4.3392 |
800 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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100+:￥4.6206 10+:￥5.5356 |
31600 |
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5-10工作日
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云汉芯城
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INFINEON
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TO220
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1+:￥16.0377 |
10 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 279 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10034 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 294W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |